開關(guan)(guan)電(dian)源作(zuo)為運(yun)用于開關(guan)(guan)狀況(kuang)的(de)(de)能量轉(zhuan)化設(she)備，開關(guan)(guan)電(dian)源的(de)(de)電(dian)壓、電(dian)流改(gai)變率(lv)很高，所以產生的(de)(de)干(gan)擾(rao)強(qiang)度也比較大。
干擾(rao)(rao)源主(zhu)要(yao)會集在功率開(kai)關期間以及與之相連(lian)的散熱器和(he)高平(ping)變壓器，相關于數(shu)(shu)字(zi)電路干擾(rao)(rao)源的方位(wei)較為清楚(chu)。開(kai)關頻(pin)率不高（從(cong)幾(ji)十千赫和(he)數(shu)(shu)兆赫茲），主(zhu)要(yao)的干擾(rao)(rao)形式是(shi)傳導干擾(rao)(rao)和(he)近場干擾(rao)(rao)。而印刷(shua)線路板（PCB）走線通常選用(yong)手(shou)工布(bu)線，具有(you)**的隨(sui)意性，這增加(jia)了 PCB 散布(bu)參數(shu)(shu)的提取和(he)近場 干擾(rao)(rao)估(gu)量的難(nan)度。
1MHZ 以內：以差模(mo)干擾為主，增大 X 電容(rong)就可(ke)處理；
1MHZ—5MHZ：差模共模混合(he)，選用輸入端(duan)并(bing)一系列X電容來濾除(chu)差摸(mo)干擾并(bing)分析出(chu)是哪種干擾超支并(bing)處理(li);
5M：以(yi)上(shang)以(yi)共摸干(gan)擾為主(zhu)，選用抑制共摸的(de)(de)辦(ban)法。關(guan)于外殼接地的(de)(de)，在地線上(shang)用一(yi)個磁(ci)盤繞2圈會(hui)對10MHZ以(yi)上(shang)干(gan)擾有較大的(de)(de)衰(shuai)減（diudiu2006）;
關(guan)于25--30MHZ不過能夠(gou)選用加大對地(di)Y電容、在變壓器(qi)外面包銅皮(pi)、改變PCBLAYOUT、輸(shu)出線(xian)前面接一個(ge)雙線(xian)并繞的小磁(ci)環(huan)，最少繞10圈、在輸(shu)出整流管兩頭并 RC 濾(lv)波器(qi)。
30—50MHZ：遍及是(shi) MOS 管高速注(zhu)冊關(guan)斷引起，能夠用(yong)增(zeng)大MOS驅動電(dian)(dian)阻，RCD緩沖電(dian)(dian)路選(xuan)用(yong) 1N4007慢管，VCC供電(dian)(dian)電(dian)(dian)壓用(yong) 1N4007慢管來處(chu)理。
100—200MHZ：遍及是(shi)輸出整(zheng)流(liu)管反向恢復電(dian)流(liu)引(yin)起，能夠(gou)在(zai)整(zheng)流(liu)管上串磁珠
100MHz—200MHz：之間大部分出(chu)于 PFCMOSFET及(ji)PFC二極管，現(xian)在MOSFET及(ji)PFC二極管串磁珠有作用，水平方向基(ji)本能夠處理問題，但筆(bi)直方向就(jiu)沒辦法了。
開關電源的(de)輻射一般(ban)只會影響(xiang)到 100M 以下的(de)頻(pin)段。也能夠在 MOS，二極管(guan)上加相(xiang)應吸收回路，但(dan)效率會有所下降(jiang)。
設(she)計開關(guan)電源(yuan)時防(fang)止 EMI 的措施
1.把(ba)噪音(yin)電(dian)路節點(dian)的(de) PCB 銅箔面積**極(ji)限地減小;如開關(guan)管(guan)的(de)漏極(ji)、集電(dian)極(ji)，初次級(ji)繞組的(de)節點(dian)，等。
2.使輸入(ru)和輸出(chu)端遠離噪音元件，如變壓(ya)器線包(bao)，變壓(ya)器磁芯，開關管的散熱片，等等。
3.使噪音(yin)元件（如未遮蓋(gai)的變壓(ya)器(qi)線包(bao)，未遮蓋(gai)的變壓(ya)器(qi)磁芯，和開關管，等等）遠離外殼邊際(ji)，因(yin)為在正(zheng)常(chang)操(cao)作下外殼邊際(ji)很可能靠近外面的接(jie)地線。
4.如果變(bian)壓(ya)器(qi)沒有運用電場屏(ping)蔽，要堅持屏(ping)蔽體和散熱(re)片遠(yuan)離變(bian)壓(ya)器(qi)。
5.盡(jin)量減小以下電(dian)流(liu)環的(de)面積：次級(ji)（輸出）整流(liu)器(qi)，初級(ji)開關功(gong)率器(qi)材，柵極(ji)（基極(ji)）驅動線路，輔佐整流(liu)器(qi)。
6.不(bu)要將門極(ji)（基極(ji)）的驅動返饋(kui)環路和初級開關電(dian)路或輔(fu)佐整流電(dian)路混在一(yi)同。
7.調整(zheng)優化阻尼電阻值，使它在開(kai)關(guan)的死區時間里(li)不(bu)產生振鈴(ling)響(xiang)聲(sheng)。
8.防止(zhi) EMI 濾波電感飽滿。
9.使拐彎節(jie)點和次級電路的元件遠離初級電路的屏蔽體或許開關管的散熱片(pian)。
10.堅持初級電路的擺動的節(jie)點和元件本(ben)體遠離屏(ping)蔽或許散熱片(pian)。
11.使高頻輸(shu)入(ru)的 EMI 濾波器靠近輸(shu)入(ru)電纜或許連接器端(duan)。
12.堅(jian)持(chi)高頻輸(shu)出(chu)(chu)的 EMI 濾波器(qi)靠近輸(shu)出(chu)(chu)電線端子。
13.使 EMI 濾波器對(dui)面的(de) PCB 板的(de)銅箔和元件(jian)本體(ti)之間堅(jian)持一定距離(li)。
14.在(zai)輔(fu)佐線圈的整流器(qi)的線路上放(fang)一(yi)些電阻。
15.在(zai)磁棒線圈上并聯阻尼(ni)電(dian)阻。
16.在輸出(chu) RF 濾波器(qi)兩頭并聯阻(zu)尼電阻(zu)。
17.在 PCB 設計時答應放 1nF/500V 陶瓷電容器或許還(huan)能(neng)夠是(shi)一串(chuan)電阻，跨接在變壓器的(de)初級的(de)靜端和輔佐繞組之間。
18.堅(jian)持(chi) EMI 濾波器(qi)遠離功率變壓器(qi);尤其是防止定位在(zai)繞包的端部。
19.在(zai) PCB 面積滿足的(de)情況下，可(ke)在(zai) PCB 上留下放屏蔽(bi)繞組用的(de)腳位和放 RC 阻尼(ni)器(qi)的(de)方位，RC 阻尼(ni)器(qi)可(ke)跨接在(zai)屏蔽(bi)繞組兩(liang)頭。
20.空(kong)間答應的話在開關(guan)功率場效應管(guan)的漏(lou)極(ji)和門極(ji)之間放一個小徑向引線電容器（米勒電容，10 皮法/1 千伏電容）。
21.空(kong)間答應的話放一(yi)個小的 RC 阻尼器在直流輸出端。
22.不要把 AC 插座與初級開關(guan)管(guan)的散(san)熱片靠在(zai)一(yi)同。
